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      美媒稱，中國新設(shè)了一只價值2041.5億元人民幣（約合289億美元）的國家半導(dǎo)體基金。中國正尋求培育本土芯片產(chǎn)業(yè)并縮小與美國的技術(shù)差距。據(jù)美國《華爾街日報》網(wǎng)站10月25日報道，根據(jù)企業(yè)注冊信息，這只政府支持的基金是22日成立的，規(guī)模比2014年發(fā)起的一只類似基金大，那只基金籌集了約1390億元人民幣。這只新基金是中國決心降低對美國技術(shù)依賴的最新跡象，在半導(dǎo)體領(lǐng)域，中國仍面臨通往全球主導(dǎo)地位的漫長道路。2014年的基金向數(shù)十個項(xiàng)目投入了數(shù)以十億計(jì)的美元。其中之一是長江存儲科技有限責(zé)任公司。該公司9月時說，它已開始量產(chǎn)一種名為64層3D NAND閃存的高級存儲芯片。雖然這家公司正迅速追趕，但它仍落后于韓國的三星電子等已經(jīng)在生產(chǎn)更先進(jìn)芯片的行業(yè)領(lǐng)軍者。總的來說，分析人士認(rèn)為，中國在半導(dǎo)體技術(shù)的關(guān)鍵領(lǐng)域仍落后英特爾、三星等行業(yè)領(lǐng)先對手。
      除了芯片，中國自給自足努力的另一個主要瓶頸是芯片制造設(shè)備，中國在該領(lǐng)域不占主導(dǎo)地位。領(lǐng)先的公司包括美國的應(yīng)用材料公司和泛林集團(tuán)、荷蘭的阿斯麥控股公司和日本的東京電子公司。報道還指出，中國海關(guān)數(shù)據(jù)顯示，中國在2018年進(jìn)口了價值3121億美元的半導(dǎo)體產(chǎn)品，超過了2403億美元的原油進(jìn)口額。
      從國內(nèi)官方政策面來看，10月上旬工信部宣布積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā)，藉此推動工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模組產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。同時工信部也將啟動2期國家集成電路大基金，進(jìn)一步推動國內(nèi)外半導(dǎo)體資源整合與重組；2期大基金不同于1期著重于集成電路設(shè)計(jì)及制造環(huán)節(jié)，會重點(diǎn)部署半導(dǎo)體設(shè)備、材料、應(yīng)用端，規(guī)劃以扶持行業(yè)龍頭、發(fā)展園區(qū)聚集資金、補(bǔ)助中國產(chǎn)業(yè)鏈等方式來進(jìn)行，此皆宣示中國將持續(xù)以政策支持半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展。
      從中國半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展的角度來看，科技紅利之有效研發(fā)投入，才是建立獨(dú)立自主核心技術(shù)體系的有效手段，即持續(xù)高效率的研發(fā)投入是科技企業(yè)成長的真正內(nèi)在動力。中國半導(dǎo)體業(yè)者除在封測方面投入先進(jìn)封裝技術(shù)產(chǎn)能的擴(kuò)充，特別是Bumping、WLCSP等，為即將到來的5G通訊和物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展商機(jī)提前布局，以及晶圓代工方面力求2019年底前進(jìn)行14納米FinFET量產(chǎn)計(jì)劃，同時12納米制程開發(fā)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。
記憶體制造方面也看到中國業(yè)者展現(xiàn)初期成效，除長江存儲于9月量產(chǎn)64層NAND Flash、2021年計(jì)劃量產(chǎn)DRAM之外，合肥長鑫存儲則于2019年底量產(chǎn)19納米DDR4及LP DDR4 DRAM；另外集成電路設(shè)計(jì)方面除陸企持續(xù)在CPU、GPU、FPGA、類比IC、EDA等積極尋求突破外，AI芯片似乎也成為美中5G爭霸的下一個戰(zhàn)場。
      9月平頭哥亮相的首款人工智能推理芯片「含光800」，且不論其真正效能是否能與國際業(yè)者匹敵，但中國業(yè)者欲建構(gòu)一套全面端到云的芯片生態(tài)系統(tǒng)企圖心不言而喻。
      中國半導(dǎo)體自主可控的硬件基石，本土突破正在加速，但仍不否認(rèn)包括晶圓代工、記憶體制造進(jìn)程仍是落后于全球領(lǐng)先梯隊(duì)，而關(guān)鍵核心芯片的專利、技術(shù)更非輕言可突破國際大廠所筑起的高門檻。
     幸好中國擁有龐大的落地應(yīng)用，況且下游物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、5G終端等領(lǐng)域?qū)τ诎雽?dǎo)體產(chǎn)品的需求將直接推動中國半導(dǎo)體企業(yè)的技術(shù)與產(chǎn)業(yè)升級，加上電子零組件環(huán)節(jié)實(shí)力雄厚，因而上游半導(dǎo)體核心突破將是中長期大勢所趨。（來源：參考消息網(wǎng)）